机译:具有HfO $ _2 $ / Dy $ _2 $ O $ _3 $门叠层的锗基MOS器件的介电弛豫和电荷陷阱特性研究
机译:具有$ hbox {HfO} _ {2} / hbox {Dy} _ {2} hbox {O} _ {{3} $)栅堆叠的锗基MOS器件的介电弛豫和电荷陷阱特性研究
机译:由于麦克斯韦-瓦格纳不稳定性和介电常数弛豫,在基于锗的金属氧化物半导体器件上生长的稀土氧化物-HfO_2栅堆叠中的电流不稳定性
机译:Ge(100)衬底上生长的Hfo_2 / dy_2o_3栅堆叠中的电压依赖性弛豫,电荷陷阱和应力引起的漏电流效应的研究
机译:考虑双向去捕集的SiO2 / HfO2堆叠栅电介质中电荷捕集/捕集机理的研究
机译:先进CMOS技术的gate基栅极电介质的电荷捕获研究。
机译:非易失性存储应用中Al2O3-TiAlO-SiO2栅堆叠的电子结构和电荷俘获特性
机译:电介质弛豫和电荷俘获特性研究 基于锗的mOs器件,具有HfO2 / Dy2O3栅极堆叠